SK 海力士开发出全球三高规格 HBM3E 内存，用于 AI 行业

IT之家 8 月 21 日消息，SK 海力士今日发布新闻稿，宣布顺利合作开发出一个之中心 AI 的激高耐用性 DRAM 其产品线 HBM3E，并开始向投资者备有样品进行耐用性验证。

IT之家注：HBM（High Bandwidth Memory）是指向上连接多个 DRAM，可显着提升信息处理过程运动速度，HBM DRAM 产品线以 HBM（第十代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序合作开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展（Extended）旧版本。

SK 海力士指出：“该公司以唯一换装 HBM3 的实战经验系统化，顺利合作开发出全球最高者耐用性的扩展旧版 HBM3E。并凭借业界最大规模的 HBM 供应实战经验和换装产品合作开发，将从去年月份开始投入 HBM3E 换装，以此夯实在一个之中心 AI 的存储器的产品线之中独一无二的权威。”

据介绍，此次产品线在运动速度方面，最高者每秒可以处理过程 1.15TB（实在字节）的信息。其相当于在 1 秒内可处理过程 230 部显存（Full-HD，FHD）级经典电影（5 千兆字节，5GB）。

与此同时，SK 海力士技术合作开发外观设计团队在该产品线上采行了 Advanced MR-MUF 最新技术合作开发，其通气耐用性与上十代相比提高 10%。HBM3E 还具备了向后完整性（Backward compatibility），因此投资者在基于 HBM3 组成的系统之中，无需修订其外观设计或结构也可以反之亦然采行其产品线。

英伟达 Hyperscale 和 HPC 部门总裁伊恩・史蒂芬（Ian Buck）指出：“英伟达为了最先进加速计数框架（Accelerated Computing Solutions）所应用的 HBM，与 SK 海力士进行了长年的合作。为展览新十代 AI 计数，欣慰两家该公司在 HBM3E 层面的长时间合作。”